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codice articolo del costruttore | BYW35-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYW35-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW35-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW35-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW35-TAP-FT |
1N5060TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5059TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-20STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY268TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY269TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV38-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5059TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel