casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5059TR
codice articolo del costruttore | 1N5059TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5059TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5059TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5059TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5059TR-FT |
BYT56A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT56K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel