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codice articolo del costruttore | BYW32-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYW32-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW32-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW32-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW32-TAP-FT |
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SF1200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5060TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5059TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-20STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel