casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RB061US-30TR
codice articolo del costruttore | RB061US-30TR |
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Numero di parte futuro | FT-RB061US-30TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB061US-30TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 15V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMD8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB061US-30TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB061US-30TR-FT |
322CMQ030
SMC Diode Solutions
400CMQ035
SMC Diode Solutions
400CMQ040
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403CMQ080
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409CMQ135
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409CNQ150
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409DMQ135
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440CMQ030
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444CMQ035
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444CMQ040
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EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel