casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV28-150-TAP
codice articolo del costruttore | BYV28-150-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYV28-150-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV28-150-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-150-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV28-150-TAP-FT |
BAS86-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV100-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV103-IR08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101B-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel