casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV100-GS18
codice articolo del costruttore | BAV100-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV100-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV100-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV100-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV100-GS18-FT |
HFA06PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel