casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV100-GS18
codice articolo del costruttore | BAV100-GS18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAV100-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV100-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV100-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV100-GS18-FT |
HFA06PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel