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codice articolo del costruttore | BYV28-100-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYV28-100-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV28-100-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-100-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV28-100-TR-FT |
BAS86-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS86-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV100-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV103-IR08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel