casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV26E-TAP
codice articolo del costruttore | BYV26E-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYV26E-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV26E-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26E-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV26E-TAP-FT |
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5418-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation