casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV26B-TAP
codice articolo del costruttore | BYV26B-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYV26B-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV26B-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26B-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV26B-TAP-FT |
1N5418TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5624-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5626-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel