casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5626-TR
codice articolo del costruttore | 1N5626-TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5626-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5626-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 7.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5626-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5626-TR-FT |
LS4151GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4148-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS82-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel