casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV25X-600,127
codice articolo del costruttore | BYV25X-600,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV25X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV25X-600,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV25X-600,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV25X-600,127-FT |
ES2DPX
Nexperia USA Inc.
ES3DPX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010EP/6X
Nexperia USA Inc.
PMEG40T10ERX
Nexperia USA Inc.
PMEG40T20ERX
Nexperia USA Inc.
PMEG40T30ERX
Nexperia USA Inc.
PMEG4030ER/8X
Nexperia USA Inc.
BAS216,115
NXP USA Inc.
BAS216,135
NXP USA Inc.
BAT254,115
NXP USA Inc.
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation