casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYT52M-TAP
codice articolo del costruttore | BYT52M-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYT52M-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYT52M-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT52M-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYT52M-TAP-FT |
1N5417-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5418-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5418TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5624-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5626-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel