casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYS459-1500-E3/45
codice articolo del costruttore | BYS459-1500-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYS459-1500-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYS459-1500-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 6.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS459-1500-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYS459-1500-E3/45-FT |
VS-30ETH06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5TH3012-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel