casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYS12-90HE3/TR
codice articolo del costruttore | BYS12-90HE3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYS12-90HE3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYS12-90HE3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS12-90HE3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYS12-90HE3/TR-FT |
SSA33L-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA33L-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA33LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA33LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel