casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6621US
codice articolo del costruttore | 1N6621US |
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Numero di parte futuro | FT-1N6621US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6621US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 440V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 440V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6621US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6621US-FT |
CD1408-FF11500
Bourns Inc.
CD1408-FF1200
Bourns Inc.
CD1408-FF1400
Bourns Inc.
CD1408-FF1600
Bourns Inc.
CD1408-FF1800
Bourns Inc.
CD1408-FU1200
Bourns Inc.
CD1408-FU1600
Bourns Inc.
CD1408-R1200
Bourns Inc.
CD1408-R1600
Bourns Inc.
CD1408-R1800
Bourns Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation