casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10Y-M3/TR
codice articolo del costruttore | BYG10Y-M3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10Y-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10Y-M3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10Y-M3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10Y-M3/TR-FT |
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFGHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel