casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BY229B-600HE3/81
codice articolo del costruttore | BY229B-600HE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-BY229B-600HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BY229B-600HE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 145ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-600HE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BY229B-600HE3/81-FT |
10ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel