casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 10ETF12S
codice articolo del costruttore | 10ETF12S |
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Numero di parte futuro | FT-10ETF12S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10ETF12S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 310ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF12S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 10ETF12S-FT |
VS-10TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel