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Infineon Technologies AUIRF7647S2TR

Numero parte MFG
AUIRF7647S2TR
quantità disponibile
15190 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.539672
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore AUIRF7647S2TR
Numero di parte futuro FT-AUIRF7647S2TR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRF7647S2TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SC
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7647S2TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AUIRF7647S2TR-FT

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