casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9M9R1-40EX
codice articolo del costruttore | BUK9M9R1-40EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9M9R1-40EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M9R1-40EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2048pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M9R1-40EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9M9R1-40EX-FT |
NP75N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP75P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
MTM761110LBF
Panasonic Electronic Components
FK3P02110L
Panasonic Electronic Components
FJ3P02100L
Panasonic Electronic Components
FK6K02010L
Panasonic Electronic Components
SK8403180L
Panasonic Electronic Components
SK830321KL
Panasonic Electronic Components
SK8403160L
Panasonic Electronic Components
SK8403170L
Panasonic Electronic Components
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel