casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK98150-55,135
codice articolo del costruttore | BUK98150-55,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK98150-55,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK98150-55,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 8.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK98150-55,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK98150-55,135-FT |
PHD82NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD97NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHD98N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD9NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-25D,118
NXP USA Inc.
PSMN010-55D,118
NXP USA Inc.
PSMN063-150D,118
Nexperia USA Inc.
BUK7105-40AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7105-40ATE,118
Nexperia USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation