casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK968R3-40E,118
codice articolo del costruttore | BUK968R3-40E,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK968R3-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK968R3-40E,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK968R3-40E,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK968R3-40E,118-FT |
PSMN3R4-30BLE,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK662R5-30C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7675-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK9640-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R4-40E,118
Nexperia USA Inc.
PHB21N06LT,118
Nexperia USA Inc.
PHB45NQ15T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200B,118
Nexperia USA Inc.
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel