casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9506-40B,127
codice articolo del costruttore | BUK9506-40B,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9506-40B,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9506-40B,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4901pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 203W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9506-40B,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9506-40B,127-FT |
PSMN7R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-60PLQ
Nexperia USA Inc.
PSMN6R3-120PS
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R2-60PLQ
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP9NQ20T,127
Nexperia USA Inc.
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel