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codice articolo del costruttore | BUK7Y25-80E/GFX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7Y25-80E/GFX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y25-80E/GFX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y25-80E/GFX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7Y25-80E/GFX-FT |
BUK7Y12-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y12-55B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y153-100E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN102-200Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN014-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel