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codice articolo del costruttore | PSMN1R2-30YLC,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN1R2-30YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R2-30YLC,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5093pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 215W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R2-30YLC,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN1R2-30YLC,115-FT |
BUK7880-55A/CUX
Nexperia USA Inc.
BUK9832-55A/CUX
Nexperia USA Inc.
BUK98180-100A/CUX
Nexperia USA Inc.
BSP250,135
Nexperia USA Inc.
BSP126,115
Nexperia USA Inc.
BUK98150-55A/CUF
Nexperia USA Inc.
BUK9875-100A/CUX
Nexperia USA Inc.
BSP130,115
Nexperia USA Inc.
BSP220,115
Nexperia USA Inc.
PHT6NQ10T,135
Nexperia USA Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel