casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7E07-55B,127
codice articolo del costruttore | BUK7E07-55B,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7E07-55B,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7E07-55B,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 203W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7E07-55B,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7E07-55B,127-FT |
PHX14NQ20T,127
NXP USA Inc.
PHX18NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX18NQ20T,127
NXP USA Inc.
PHX20N06T,127
NXP USA Inc.
PHX23NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHX23NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX27NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX34NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX45NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX8NQ11T,127
NXP USA Inc.
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel