casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK752R3-40E,127
codice articolo del costruttore | BUK752R3-40E,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK752R3-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK752R3-40E,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 293W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK752R3-40E,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK752R3-40E,127-FT |
PMPB20UN,115
NXP USA Inc.
PSMN027-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN022-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN013-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel