casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK6E2R0-30C,127
codice articolo del costruttore | BUK6E2R0-30C,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK6E2R0-30C,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK6E2R0-30C,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 229nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14964pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 306W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6E2R0-30C,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK6E2R0-30C,127-FT |
BUK7909-75AIE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7909-75ATE,127
Nexperia USA Inc.
BUK794R1-40BT,127
NXP USA Inc.
BUK9907-40ATC,127
Nexperia USA Inc.
BUK9907-55ATE,127
NXP USA Inc.
PSMN027-100XS,127
Nexperia USA Inc.
PHX14NQ20T,127
NXP USA Inc.
PHX18NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX18NQ20T,127
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel