casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK6207-30C,118
codice articolo del costruttore | BUK6207-30C,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK6207-30C,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK6207-30C,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6207-30C,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK6207-30C,118-FT |
PMR780SN,115
NXP USA Inc.
PSMN0R7-25YLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7E2R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R8-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E8R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R9-40E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation