casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN2R0-60ES,127
codice articolo del costruttore | PSMN2R0-60ES,127 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN2R0-60ES,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R0-60ES,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9997pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 338W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R0-60ES,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN2R0-60ES,127-FT |
3LN01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-EX
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-E
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-H
ON Semiconductor
BST72A,112
NXP USA Inc.
PHW80NQ10T,127
NXP USA Inc.
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel