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Microsemi Corporation APTM120DA68T1G

Numero parte MFG
APTM120DA68T1G
quantità disponibile
38710 pezzi
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-APTM120DA68T1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM120DA68T1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 816 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6696pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Pacchetto / caso SP1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA68T1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM120DA68T1G-FT

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