casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS84AKVL
codice articolo del costruttore | BSS84AKVL |
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Numero di parte futuro | FT-BSS84AKVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BSS84AKVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS84AKVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS84AKVL-FT |
APTM100SK40T1G
Microsemi Corporation
APTM100SKM90G
Microsemi Corporation
APTM100U13SG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120DA15G
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APTM120DA29TG
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APTM120DA56T1G
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APTM120DA68T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK15G
Microsemi Corporation
APTM120SK29TG
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel