casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK2009TE85LF
codice articolo del costruttore | 2SK2009TE85LF |
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Numero di parte futuro | FT-2SK2009TE85LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK2009TE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50MA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK2009TE85LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK2009TE85LF-FT |
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
TN2404K-T1-E3
Vishay Siliconix
BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN337N
ON Semiconductor
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN5630
ON Semiconductor
SI2302-TP
Micro Commercial Co
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel