casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS139H6906XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS139H6906XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS139H6906XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS139H6906XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 56µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 76pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS139H6906XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS139H6906XTSA1-FT |
APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation
APTM100DA18T1G
Microsemi Corporation
APTM100DA40T1G
Microsemi Corporation
APTM100SK18TG
Microsemi Corporation
APTM100SK40T1G
Microsemi Corporation
APTM100SKM90G
Microsemi Corporation
APTM100U13SG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120DA15G
Microsemi Corporation
APTM120DA29TG
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel