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Microsemi Corporation APTM100DA18CT1G

Numero parte MFG
APTM100DA18CT1G
quantità disponibile
58210 pezzi
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTM100DA18CT1G specificazioni

codice articolo del costruttore APTM100DA18CT1G
Numero di parte futuro FT-APTM100DA18CT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APTM100DA18CT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 657W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Pacchetto / caso SP1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DA18CT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM100DA18CT1G-FT

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