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Microsemi Corporation APTM100DA18CT1G

Name: APTM100DA18CT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100DA18CT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (211 reviews)

Numero parte MFG: APTM100DA18CT1G

quantità disponibile: 58210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTM100DA18CT1G.pdf

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APTM100DA18CT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTM100DA18CT1G
Numero di parte futuro	FT-APTM100DA18CT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APTM100DA18CT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	570nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	657W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DA18CT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTM100DA18CT1G-FT

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