casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS131H6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS131H6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS131H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS131H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 77pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS131H6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS131H6327XTSA1-FT |
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
NDS331N
ON Semiconductor
FDV302P
ON Semiconductor
NDS355AN
ON Semiconductor
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN340P
ON Semiconductor
FDV303N
ON Semiconductor
NDS352AP
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel