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APT80SM120S Image

Microsemi Corporation APT80SM120S

Numero parte MFG
APT80SM120S
quantità disponibile
66800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- POWER MOSFET - SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT80SM120S specificazioni

codice articolo del costruttore APT80SM120S
Numero di parte futuro FT-APT80SM120S
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APT80SM120S Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 20V
Vgs (massimo) +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D3Pak
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT80SM120S Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT80SM120S-FT

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