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Infineon Technologies BSO615NGHUMA1

Name: BSO615NGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO615NGHUMA1
Price: 0.356664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (240 reviews)

Numero parte MFG: BSO615NGHUMA1

quantità disponibile: 18840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.356664

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSO615NGHUMA1.pdf

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BSO615NGHUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSO615NGHUMA1
Numero di parte futuro	FT-BSO615NGHUMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSO615NGHUMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-DSO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615NGHUMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSO615NGHUMA1-FT

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