casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO4410T
codice articolo del costruttore | BSO4410T |
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Numero di parte futuro | FT-BSO4410T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO4410T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 42µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1280pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO4410T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO4410T-FT |
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EX64-TQ100I
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Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
Intel