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Infineon Technologies BSO200N03

Numero parte MFG
BSO200N03
quantità disponibile
53970 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSO200N03 specificazioni

codice articolo del costruttore BSO200N03
Numero di parte futuro FT-BSO200N03
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSO200N03 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO200N03 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSO200N03-FT

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