casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM50GD120DLCBOSA1
codice articolo del costruttore | BSM50GD120DLCBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM50GD120DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GD120DLCBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Potenza - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 84µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DLCBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM50GD120DLCBOSA1-FT |
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel