casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM50GD120DLCBOSA1
codice articolo del costruttore | BSM50GD120DLCBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM50GD120DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GD120DLCBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Potenza - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 84µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DLCBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM50GD120DLCBOSA1-FT |
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG456I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1759C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation