casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50SK170D1G
codice articolo del costruttore | APTGT50SK170D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT50SK170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50SK170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 310W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 6mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50SK170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50SK170D1G-FT |
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-3
Intel
5SGXEA4K3F40C4N
Intel
M2GL060-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX70HF35C4N
Intel