casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM50GB170DN2HOSA1
codice articolo del costruttore | BSM50GB170DN2HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM50GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GB170DN2HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 72A |
Potenza - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GB170DN2HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM50GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
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APTGT50DH60TG
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APTGT50DSK120T3G
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APTGT50DSK60T3G
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APTGT50DU170TG
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APTGT50H120TG
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APTGT50H60T2G
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APTGT50SK120D1G
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APTGT50SK170D1G
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