casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT30DA170D1G
codice articolo del costruttore | APTGT30DA170D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT30DA170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT30DA170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Potenza - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT30DA170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT30DA170D1G-FT |
APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DA120CT1G
Microsemi Corporation
APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel