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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Image

Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Numero parte MFG
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
quantità disponibile
95440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 45.528
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Numero di parte futuro FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 15A
Potenza - Max 80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 10A
Corrente - Limite del collettore (max) 400µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 530pF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT

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