casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT200SK60TG
codice articolo del costruttore | APTGT200SK60TG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT200SK60TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200SK60TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 290A |
Potenza - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200SK60TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT200SK60TG-FT |
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T3G
Microsemi Corporation
APTGF25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGF300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGF300DU120G
Microsemi Corporation
APTGF300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGF300SK120G
Microsemi Corporation
APTGF30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation