casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC014N04LSATMA1
codice articolo del costruttore | BSC014N04LSATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC014N04LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC014N04LSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSO8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC014N04LSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC014N04LSATMA1-FT |
IRF9410TRPBF
Infineon Technologies
IRL6342PBF
Infineon Technologies
SI4410DY
Infineon Technologies
SI4410DYPBF
Infineon Technologies
SI4410DYTRPBF
Infineon Technologies
SI4420DY
Infineon Technologies
SI4420DYPBF
Infineon Technologies
SI4420DYTR
Infineon Technologies
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel