casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFN8401TR
codice articolo del costruttore | AUIRFN8401TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFN8401TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFN8401TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.2W (Ta), 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFN8401TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFN8401TR-FT |
IRF9335PBF
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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A54SX32A-FGG484
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Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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