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Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1

Numero parte MFG
BSC010NE2LSIATMA1
quantità disponibile
10720 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.643504
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSC010NE2LSIATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore BSC010NE2LSIATMA1
Numero di parte futuro FT-BSC010NE2LSIATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSC010NE2LSIATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC010NE2LSIATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSC010NE2LSIATMA1-FT

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