casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BS170_J35Z
codice articolo del costruttore | BS170_J35Z |
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Numero di parte futuro | FT-BS170_J35Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS170_J35Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS170_J35Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BS170_J35Z-FT |
ZVN0545ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2120A
Diodes Incorporated
ZVN2120ASTOA
Diodes Incorporated
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel